小77论坛 项中专，你知谈什么是物理极限导致的良率塌缩么？

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项中专自满皮小77论坛，说三折叠是东谈主类最高水平。真丢东谈主。

多半文科伪正能量簇拥而上，吹捧三折叠，说比4纳米芯片折叠到2纳米芯片利害。笑死东谈主了。

我前文给项中专训诲4纳米芯片到2纳米芯片需要克服新的物理规则导致的物理极限。许多伪正能量根底听不懂。我就讲得正常少量吧。

在7纳米以下工艺，EUV光刻曝光时，运行出现纳米要领下的当场劣势问题。

当场劣势是极其生僻但致命的图形化失败，举例相邻线之间的桥接、线断裂和孔/点图案缺失，均低于 20 nm 领域。

由于在 300 毫米的晶圆上以致在单次曝光视场上酿成的曝光特征罕见 1 万亿个，因此需要将当场劣势的概率阻拦在百万至十亿分之一以下。

这种当场劣势指令良率出现塌缩，比如下图，EUV光刻曝光某种光刻胶，它在11纳米的技艺还不错拼凑使命，可是在10纳米的技艺径直就报废了。

项立刚、张维为们那处懂这个？